AP2N050H - описание и поиск аналогов

 

AP2N050H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N050H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP2N050H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N050H даташит

 ..1. Size:65K  ape
ap2n050h.pdfpdf_icon

AP2N050H

AP2N050H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 14.8A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated design AP2N050series arefrom Advanced Power innovated

 7.1. Size:132K  ape
ap2n050g.pdfpdf_icon

AP2N050H

AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 9.1. Size:189K  ape
ap2n075en.pdfpdf_icon

AP2N050H

AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.2. Size:210K  ape
ap2n030ey.pdfpdf_icon

AP2N050H

AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

Другие MOSFET... AP3C010H , AP3A020Y , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , 4N60 , AP2910EC4 , AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI .

History: RW1E015RP | AOTF4126

 

 

 

 

↑ Back to Top
.