Справочник MOSFET. AP2N050H

 

AP2N050H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N050H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP2N050H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N050H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  ape
 ap2n050h.pdf pdf_icon

AP2N050H

AP2N050HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 14.8AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated designAP2N050series arefrom Advanced Power innovated

 7.1. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N050H

AP2N050GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP2N050 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N050H

AP2N075ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2N075E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achiev

 9.2. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N050H

AP2N030EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 34mD Fast Switching Performance ID3 6.3AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2N030E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3C010H , AP3A020Y , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , 10N65 , AP2910EC4 , AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.