Справочник MOSFET. AP2910EC4

 

AP2910EC4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2910EC4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4000 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2910EC4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ape
 ap2910ec4.pdf pdf_icon

AP2910EC4

AP2910EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 22.5m Protection Diode Built-in IS 9A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2910 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RF1S9540SM | IXTH24P20 | IPD50R280CE | AP04N70BI | IRLR2905 | NDT6N70 | NDS336P

 

 
Back to Top

 


 
.