Справочник MOSFET. AP2910EC4

 

AP2910EC4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2910EC4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4000 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для AP2910EC4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2910EC4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ape
 ap2910ec4.pdf pdf_icon

AP2910EC4

AP2910EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 22.5m Protection Diode Built-in IS 9A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2910 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest

Другие MOSFET... AP3A020Y , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , STF13NM60N , AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P .

History: VBE1638 | IRFS621 | PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | AFN08N50T220T | IRF540ZSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.