Справочник MOSFET. AP10TN6R0I

 

AP10TN6R0I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10TN6R0I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10TN6R0I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  ape
 ap10tn6r0i.pdf pdf_icon

AP10TN6R0I

AP10TN6R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Lower On-resistance ID 53AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are from Advanced innovated designAP10TN6R0 series from Advanced Power Power innovatedand s

 5.1. Size:206K  ape
 ap10tn6r0p.pdf pdf_icon

AP10TN6R0I

AP10TN6R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Lower On-resistance ID3 95AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are from Advanced innovated designAP10TN6R0 series from Advanced Power Power innovatedand

 8.1. Size:165K  ape
 ap10tn5r5lmt.pdf pdf_icon

AP10TN6R0I

AP10TN5R5LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 100VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Ultra Low On-resistance ID4 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP10TN5R5L series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to

 8.2. Size:163K  ape
 ap10tn010cmt.pdf pdf_icon

AP10TN6R0I

AP10TN010CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Lower On-resistance ID 49AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP10TN010C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ME8117-G | SUD50N02-06P | STP5NB40 | 2P985G-2 | STD3N30LT4 | BLF8G10LS-160 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.