AP10P10GJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP10P10GJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP10P10GJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP10P10GJ даташит
ap10p10gj.pdf
AP10P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D S combination of fast switchi
ap10p10gh j-hf.pdf
AP10P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D S combination of fast switch
ap10p10gk-hf.pdf
AP10P10GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -100V D Lower Gate Charge RDS(ON) 500m S Fast Switching Characteristic ID - 1.65A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D AP10P10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology
Другие IGBT... AP10TN135H, AP10TN040P, AP10TN040H, AP10TN003S, AP10TN003R, AP10TN003P, AP10TN003I, AP10P230H, RU7088R, AP10N9R0R, AP10N9R0I, AP10N7R5H, AP10N6R0S, AP10N4R5S, AP10N4R5P, AP10N4R5I, AP10N012P
History: AP80N08D | IXTQ170N10P | IXTQ152N085T | TSM3455CX6 | AP4606P | IRF3704ZCLPBF | DTG025N04NA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435




