AP0603GH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP0603GH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP0603GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0603GH даташит

 ..1. Size:193K  ape
 ap0603gh.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP0603 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest poss

 0.1. Size:93K  ape
 ap0603gh-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D

 7.1. Size:216K  ape
 ap0603gm.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 16.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0603 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

 7.2. Size:94K  ape
 ap0603gm-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 16.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10N4R5I, AP10N012P, AP10N012IN, AP10N012I, AP10N012H, AP10C325Y, AP09T10GH, AP09N20BGH, 50N06, AP05N50EJ, AP05N50EH, AP05N20GJ, AP05N20GI, AP05N20GH, AP04N70BS-H, AP02N90JB, AP02N90J