Справочник MOSFET. AP0603GH

 

AP0603GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP0603GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP0603GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0603GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ape
 ap0603gh.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP0603 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest poss

 0.1. Size:93K  ape
 ap0603gh-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GD

 7.1. Size:216K  ape
 ap0603gm.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 16.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP0603 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology

 7.2. Size:94K  ape
 ap0603gm-hf.pdf pdf_icon

AP0603GH

AP0603GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 16.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP10N4R5I , AP10N012P , AP10N012IN , AP10N012I , AP10N012H , AP10C325Y , AP09T10GH , AP09N20BGH , 50N06 , AP05N50EJ , AP05N50EH , AP05N20GJ , AP05N20GI , AP05N20GH , AP04N70BS-H , AP02N90JB , AP02N90J .

 

 
Back to Top

 


 
.