Справочник MOSFET. AP04N70BS-H

 

AP04N70BS-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP04N70BS-H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP04N70BS-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ape
 ap04n70bs-h.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H

AP04N70BS-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP04N70B series are from Advanced Power innovated design and GDS TO-263(S)silicon process technology

 0.1. Size:58K  ape
 ap04n70bs-h-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H

AP04N70BS-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP04N70 series are specially designed as main switching devices for GDS TO-263(S)universal 90~265VAC

 6.1. Size:70K  ape
 ap04n70bi-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H

AP04N70BI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 6.2. Size:105K  ape
 ap04n70bi-a.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H

AP04N70BI-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MCH3479 | SIHG47N60S | FK18SM-12 | 9N95 | MCU20P10 | IRLB3034PBF | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.