Справочник MOSFET. AP02N70EJ-HF

 

AP02N70EJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP02N70EJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N70EJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap02n70ej-hf.pdfpdf_icon

AP02N70EJ-HF

AP02N70EJ-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6A RoHS CompliantSGDescriptionDSTO-251(J)AP02N70 from APEC provide the designer with the best combination offast switching , low on-resistance and c

 5.1. Size:108K  ape
ap02n70ej.pdfpdf_icon

AP02N70EJ-HF

AP02N70EJRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6ASGDescription DTO-251(J)SAP02N70 from APEC provide the designer with the best combinationof fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness.Th

 6.1. Size:55K  ape
ap02n70ei-hf.pdfpdf_icon

AP02N70EJ-HF

AP02N70EI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP02N70 from APEC provide the designer with the bestGDcombination of fast switching , low on-resistance and

 9.1. Size:197K  ape
ap02n90h.pdfpdf_icon

AP02N70EJ-HF

AP02N90H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900VD Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP02N90 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NVMFS5C677NL | ST3413A | VB162KX | AP96LT07GP-HF | FDB7030LL86Z | VBZA4420 | GSM2912

 

 
Back to Top

 


 
.