AP05FN50I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP05FN50I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO220F
AP05FN50I Datasheet (PDF)
ap05fn50i.pdf
AP05FN50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 Simple Drive Requirement ID 4.5A G S Description AP05FN50 provide high blocking voltage to overcome voltage surge G and sag in the toughest power system with the best combination of fast D
ap05fn50i-hf.pdf
AP05FN50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast trr Performance D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.8 Simple Drive Requirement ID 4.4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP05FN50 series are specially designed as main switching devices G for universal 90 265VAC off-line AC/D
Другие MOSFET... AP03N70H-H-HF , AP03N70I-H-HF , AP03N70J-H-HF , AP0403GH , AP04N60I-HF , AP04N60J-HF , AP04N70BI-A-HF , AP04N70BI-HF , SPP20N60C3 , AP05FN50I-HF , AP05N50I-HF , AP0803GMT-A-HF , AP0904GP-HF , AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AP1003BST .
History: MG120R040
History: MG120R040
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet



