AP09N70P-A-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP09N70P-A-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP09N70P-A-HF
AP09N70P-A-HF Datasheet (PDF)
ap09n70p-a-hf.pdf

AP09N70P-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP09N70 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowe
ap09n70p-a.pdf

AP09N70P-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 650VD Fast Switching RDS(ON) 0.75GG Simple Drive Requirement ID 9AS RoHS CompliantSDescriptionThe TO-220 package is widely preferred for all commercial-industrialapplications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converte
ap09n70p-h-lf ap09n70p-h.pdf

AP09N70P/R-HRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated D BVDSS 700V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirement ID 8.3AGSDescriptionGAP09N70 series are specially designed as main switching devices forTO-220(P)DSuniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter app
ap09n70i-a.pdf

AP09N70I-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effe
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: BS170RL1G
History: BS170RL1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904