Справочник MOSFET. AP1005BSQ

 

AP1005BSQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1005BSQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для AP1005BSQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1005BSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  ape
ap1005bsq.pdfpdf_icon

AP1005BSQ

AP1005BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 3.8m Low Profile (

 9.1. Size:104K  ape
ap1001bsq.pdfpdf_icon

AP1005BSQ

AP1001BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 6m Low Profile (

 9.2. Size:99K  ape
ap1002bmx.pdfpdf_icon

AP1005BSQ

AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.3. Size:158K  ape
ap1003bst.pdfpdf_icon

AP1005BSQ

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

Другие MOSFET... AP05N50I-HF , AP0803GMT-A-HF , AP0904GP-HF , AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AP1003BST , AP1004CMX , AO4407 , AP10N70I-A , AP10P10GK-HF , AP11N50I-HF , AP1203GH , AP1203GM , AP1333GU-HF , AP13N50W-HF , AP13P15GP .

History: FQPF9N25C | IRF7201 | FXN5N65FM | CEB02N9 | AOT8N65 | SL8205S | 2N6764JANTX

 

 
Back to Top

 


 
.