Справочник MOSFET. AP1801GU

 

AP1801GU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP1801GU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для AP1801GU

 

 

AP1801GU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
 ap1801gu.pdf

AP1801GU AP1801GU

AP1801GUPb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS -20VDD Lower on-resistance RDS(ON) 70m DDG Surface mount package ID -4ASSS2021-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the

 9.1. Size:55K  ape
 ap1802gu.pdf

AP1801GU AP1801GU

AP1802GU Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VDD Lower on-resistance RDS(ON) 32mDD Surface mount package ID 5.8AGSSS2021-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top