AP6679BGJ-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP6679BGJ-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для AP6679BGJ-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6679BGJ-HF даташит
ap6679bgh-hf ap6679bgj-hf.pdf
AP6679BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,
ap6679bgjb.pdf
AP6679BGJB-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP6679B series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest
ap6679bgj.pdf
AP6679BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP6679B series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve th
ap6679bgm-hf.pdf
AP6679BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Lower On-resistance D RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID -13.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o
Другие MOSFET... AP16N50W-HF , AP1801GU , AP1802GU , AP18P10GH-HF , AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , 8N60 , AP6679GH , AP6679GI , AP6679GJ , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42









