AP6680GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6680GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP6680GM
AP6680GM Datasheet (PDF)
ap6680gm.pdf

AP6680GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLowOn-Resistance BVDSS 30V Low On-ResistanceLowOn-Resistance Low On-ResistanceDDHighVgsMaxRatingVoltage D RDS(ON) 11m High Vgs Max Rating VoltageHighVgsMaxRatingVoltage High Vgs Max Rating VoltageDSurfaceMountPackage ID 11.5A Surfa
ap6680bgm-hf.pdf

AP6680BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of f
ap6680agm.pdf

AP6680AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Ddesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, ultra
ap6680cgyt-hf.pdf

AP6680CGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGSDDDescriptionDAP6680C series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possible on-re
Другие MOSFET... AP6679GI , AP6679GJ , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , IRF1405 , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , AP20P02GH , AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN .
History: 7N65KL-TF3T-T | JCS730BC | IXFH86N30T | WFY3P02 | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402
History: 7N65KL-TF3T-T | JCS730BC | IXFH86N30T | WFY3P02 | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet