AP6680GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6680GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP6680GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6680GM даташит

 ..1. Size:81K  ape
 ap6680gm.pdf pdf_icon

AP6680GM

AP6680GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET LowOn-Resistance BVDSS 30V Low On-Resistance LowOn-Resistance Low On-Resistance D D HighVgsMaxRatingVoltage D RDS(ON) 11m High Vgs Max Rating Voltage HighVgsMaxRatingVoltage High Vgs Max Rating Voltage D SurfaceMountPackage ID 11.5A Surfa

 8.1. Size:93K  ape
 ap6680bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6680GM

AP6680BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 8.2. Size:196K  ape
 ap6680agm.pdf pdf_icon

AP6680GM

AP6680AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, ultra

 8.3. Size:59K  ape
 ap6680cgyt-hf.pdf pdf_icon

AP6680GM

AP6680CGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G S D D Description D AP6680C series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the lowest possible on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6679GI, AP6679GJ, AP6679GP-A, AP6679GP-HF, AP6679GS, AP6679GS-A, AP6679GS-HF, AP6680AGM-HF, IRF830, AP6681GMT-HF, AP20N15AGI-HF, AP20P02GH, AP20P02GJ, AP20T15GM-HF, AP2301AGN, AP2301EN-HF, AP2301GN