AP6680GM - описание и поиск аналогов

 

AP6680GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6680GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP6680GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6680GM даташит

 ..1. Size:81K  ape
ap6680gm.pdfpdf_icon

AP6680GM

AP6680GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET LowOn-Resistance BVDSS 30V Low On-Resistance LowOn-Resistance Low On-Resistance D D HighVgsMaxRatingVoltage D RDS(ON) 11m High Vgs Max Rating Voltage HighVgsMaxRatingVoltage High Vgs Max Rating Voltage D SurfaceMountPackage ID 11.5A Surfa

 8.1. Size:93K  ape
ap6680bgm-hf.pdfpdf_icon

AP6680GM

AP6680BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 8.2. Size:196K  ape
ap6680agm.pdfpdf_icon

AP6680GM

AP6680AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, ultra

 8.3. Size:59K  ape
ap6680cgyt-hf.pdfpdf_icon

AP6680GM

AP6680CGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G S D D Description D AP6680C series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the lowest possible on-re

Другие MOSFET... AP6679GI , AP6679GJ , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , IRF830 , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF , AP20P02GH , AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN .

History: AP6N021M | AP30T10GK | AP90P03Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.