AP2301AGN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2301AGN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2301AGN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2301AGN даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap2301agn.pdf pdf_icon

AP2301AGN

AP2301AGN RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 97m D Surface Mount Device ID - 3.3A S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resistance and cost-effec

 0.1. Size:56K  ape
 ap2301agn-hf.pdf pdf_icon

AP2301AGN

AP2301AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 97m Surface Mount Device ID - 3.3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,l

 7.1. Size:1798K  cn apm
 ap2301ai.pdf pdf_icon

AP2301AGN

AP2301AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2301AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-3.3A DS D R

 8.1. Size:93K  ape
 ap2301gn.pdf pdf_icon

AP2301AGN

AP2301GN RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 130m D Surface Mount Device ID - 2.6A S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resistance and cost-effec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6679GS-HF, AP6680AGM-HF, AP6680GM, AP6681GMT-HF, AP20N15AGI-HF, AP20P02GH, AP20P02GJ, AP20T15GM-HF, EMB04N03H, AP2301EN-HF, AP2301GN, AP2302GN, AP2302N-HF, AP2303GN, AP2305AGN, AP2306GN, AP2309GN