AP2305AGN - описание и поиск аналогов

 

AP2305AGN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2305AGN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2305AGN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2305AGN даташит

 ..1. Size:59K  ape
ap2305agn.pdfpdf_icon

AP2305AGN

AP2305AGN Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 80m D Surface Mount Device ID - 3.2A S SOT-23 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G , low on-resistance and cos

 ..2. Size:866K  cn vbsemi
ap2305agn.pdfpdf_icon

AP2305AGN

AP2305AGN www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-2

 0.1. Size:79K  ape
ap2305agn-hf.pdfpdf_icon

AP2305AGN

AP2305AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 80m D Surface Mount Device ID - 3.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistan

 7.1. Size:1569K  cn apm
ap2305ai.pdfpdf_icon

AP2305AGN

AP2305AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2305AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-4.9A DS D R

Другие MOSFET... AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN , IRFP064N , AP2306GN , AP2309GN , AP2310GN , AP2313GN , AP2320GN-HF , AP2320N-HF , AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF .

History: AP2325GEU6-HF | AO4407C | APM9904K | ME2326A | 2SK3047

 

 

 

 

↑ Back to Top
.