AP2306GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2306GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2306GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2306GN даташит

 0.1. Size:100K  ape
 ap2306gn-hf.pdf pdf_icon

AP2306GN

AP2306GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Lower on-resistance RDS(ON) 35m D Surface mount package ID 5.3A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible on-resistance, extre

 8.1. Size:93K  ape
 ap2306cgn-hf.pdf pdf_icon

AP2306GN

AP2306CGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Lower on-resistance RDS(ON) 30m D Surface mount package ID 5.5A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible on-resistance, extr

 8.2. Size:95K  ape
 ap2306agen-hf.pdf pdf_icon

AP2306GN

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 8.3. Size:179K  ape
 ap2306agen.pdf pdf_icon

AP2306GN

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20T15GM-HF, AP2301AGN, AP2301EN-HF, AP2301GN, AP2302GN, AP2302N-HF, AP2303GN, AP2305AGN, AO4468, AP2309GN, AP2310GN, AP2313GN, AP2320GN-HF, AP2320N-HF, AP2322GN-HF, AP2325GEU6-HF, AP2333EN-HF