Справочник MOSFET. AP2310GN

 

AP2310GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2310GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2310GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2310GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  ape
ap2310gn.pdfpdf_icon

AP2310GN

AP2310GNPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS 60V Small Package Outline RDS(ON) 90m DSurface Mount Device ID 3A SSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible o

 0.1. Size:94K  ape
ap2310gn-hf.pdfpdf_icon

AP2310GN

AP2310GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3AS RoHS CompliantSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely e

 7.1. Size:56K  ape
ap2310gg-hf.pdfpdf_icon

AP2310GN

AP2310GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Srug

 7.2. Size:49K  ape
ap2310gk-hf.pdfpdf_icon

AP2310GN

AP2310GK-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC

Другие MOSFET... AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN , AP2305AGN , AP2306GN , AP2309GN , IRFZ44N , AP2313GN , AP2320GN-HF , AP2320N-HF , AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF , AP2333EN-HF , AP2336GN-HF , AP2340GN-HF .

History: STW48N60M2-4 | SDF120JDA-U | IXTP02N50D | BUK7J1R4-40H | JCS2N60T | 2SK3403B

 

 
Back to Top

 


 
.