Справочник MOSFET. AP2320GN-HF

 

AP2320GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2320GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ape
ap2320gn-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resist

 6.1. Size:146K  ape
ap2320gn.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320GNHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:55K  ape
ap2320n-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

 9.1. Size:94K  ape
ap2328gn-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2328GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 60m Surface Mount Device ID 4AS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP9938GEO | NTHD5904NT1 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SM1A15PSF | KDB3672 | R6520KNJ

 

 
Back to Top

 


 
.