AP2320GN-HF - описание и поиск аналогов

 

AP2320GN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2320GN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2320GN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320GN-HF даташит

 ..1. Size:54K  ape
ap2320gn-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 6.1. Size:146K  ape
ap2320gn.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:55K  ape
ap2320n-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 8.2. Size:1420K  cn apm
ap2320mi.pdfpdf_icon

AP2320GN-HF

AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS D R

Другие MOSFET... AP2302GN , AP2302N-HF , AP2303GN , AP2305AGN , AP2306GN , AP2309GN , AP2310GN , AP2313GN , IRF740 , AP2320N-HF , AP2322GN-HF , AP2325GEU6-HF , AP2333EN-HF , AP2336GN-HF , AP2340GN-HF , AP2346GN-HF , AP2451GY .

History: AP95T10GI | NTJS4151P | AOD3N40 | SWT38N65K2 | NVA4153N | NVTFS5826NL | 2SK3050

 

 

 

 

↑ Back to Top
.