AP2320N-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2320N-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP2320N-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320N-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
 ap2320n-hf.pdf pdf_icon

AP2320N-HF

AP2320N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 8.1. Size:146K  ape
 ap2320gn.pdf pdf_icon

AP2320N-HF

AP2320GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 8.2. Size:54K  ape
 ap2320gn-hf.pdf pdf_icon

AP2320N-HF

AP2320GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 8.3. Size:1420K  cn apm
 ap2320mi.pdf pdf_icon

AP2320N-HF

AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2302N-HF, AP2303GN, AP2305AGN, AP2306GN, AP2309GN, AP2310GN, AP2313GN, AP2320GN-HF, IRF840, AP2322GN-HF, AP2325GEU6-HF, AP2333EN-HF, AP2336GN-HF, AP2340GN-HF, AP2346GN-HF, AP2451GY, AP2531GY-HF