AP2333EN-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2333EN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP2333EN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2333EN-HF даташит

 ..1. Size:57K  ape
 ap2333en-hf.pdf pdf_icon

AP2333EN-HF

AP2333EN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 80m Surface Mount Device ID -2.9A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2333 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.1. Size:175K  ape
 ap2330gn.pdf pdf_icon

AP2333EN-HF

AP2330GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Small Package Outline RDS(ON) 240m Surface Mount Device ID 1.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description AP2330 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest pos

 9.2. Size:93K  ape
 ap2336gn-hf.pdf pdf_icon

AP2333EN-HF

AP2336GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, ext

 9.3. Size:177K  ape
 ap2338gn.pdf pdf_icon

AP2333EN-HF

AP2338GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 5A S Halogen Free & RoHS Compliant Product SOT-23 G D Description AP2338 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2306GN, AP2309GN, AP2310GN, AP2313GN, AP2320GN-HF, AP2320N-HF, AP2322GN-HF, AP2325GEU6-HF, IRF540, AP2336GN-HF, AP2340GN-HF, AP2346GN-HF, AP2451GY, AP2531GY-HF, AP25T03GJ, AP2602GY-HF, AP2603GY