Справочник MOSFET. AP2623GY-HF

 

AP2623GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2623GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2623GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
ap2623gy-hf.pdfpdf_icon

AP2623GY-HF

AP2623GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Low On-resistance RDS(ON) 170mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest poss

 6.1. Size:97K  ape
ap2623gy.pdfpdf_icon

AP2623GY-HF

AP2623GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 170m Surface Mount Package ID - 2AG2G1S2S1DescriptionD2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesS1to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

 9.1. Size:59K  ape
ap2625gy-hf.pdfpdf_icon

AP2623GY-HF

AP2625GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest

 9.2. Size:97K  ape
ap2622gy-hf.pdfpdf_icon

AP2623GY-HF

AP2622GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD1 Low Gate Charge D2 BVDSS 50V Small Package Outline RDS(ON) 1.8G1 G2 Surface Mount Package ID 520mA RoHS CompliantS2S1DescriptionD2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toS1achieve the lowest possible on-resistance, extre

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SUN0760F | 4N60L-T2Q-T | TPW65R080C | MS65R120C | HYG055N08NS1P | IRFSL31N20DP | MEE7816S

 

 
Back to Top

 


 
.