Справочник MOSFET. AP4228GM-HF

 

AP4228GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4228GM-HF
   Маркировка: 4228GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 
   - подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4228GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ape
ap4228gm-hf.pdfpdf_icon

AP4228GM-HF

AP4228GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID 6.8AS2G2 RoHS CompliantG1SO-8 S1D2D1DescriptionG2G1Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of

 6.1. Size:227K  ape
ap4228gm.pdfpdf_icon

AP4228GM-HF

AP4228GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1 Fast Switching Characteristic ID 6.8AS2G2G1SO-8 S1D2D1DescriptionG2G1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,S1

 6.2. Size:851K  cn vbsemi
ap4228gm.pdfpdf_icon

AP4228GM-HF

AP4228GMwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 9.1. Size:74K  ape
ap4224lgm-hf-pre.pdfpdf_icon

AP4228GM-HF

AP4224LGM-HFPreliminaryAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14mD1 Dual N MOSFET Package ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerD2D1with the best combination of

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.