Справочник MOSFET. IRFI9630G

 

IRFI9630G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI9630G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI9630G

 

 

IRFI9630G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  international rectifier
irfi9630g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

PD - 94851IRFI9630GPbF Lead-Free11/07/03Document Number: 91167 www.vishay.com1IRFI9630GPbFDocument Number: 91167 www.vishay.com2IRFI9630GPbFDocument Number: 91167 www.vishay.com3IRFI9630GPbFDocument Number: 91167 www.vishay.com4IRFI9630GPbFDocument Number: 91167 www.vishay.com5IRFI9630GPbFDocument Number: 91167 www.vishay.com6IRFI9630GPbFTO-2

 ..2. Size:1550K  vishay
irfi9630gpbf sihfi9630g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

IRFI9630G, SiHFI9630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Availablef = 60 Hz) RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.80RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 15 Low Thermal Resist

 ..3. Size:1549K  vishay
irfi9630g sihfi9630g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

IRFI9630G, SiHFI9630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Availablef = 60 Hz) RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.80RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 15 Low Thermal Resist

 7.1. Size:363K  international rectifier
irfi9634g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

PD - 95610IRFI9634GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91168 www.vishay.com1IRFI9634GPbFDocument Number: 91168 www.vishay.com2IRFI9634GPbFDocument Number: 91168 www.vishay.com3IRFI9634GPbFDocument Number: 91168 www.vishay.com4IRFI9634GPbFDocument Number: 91168 www.vishay.com5IRFI9634GPbFDocument Number: 91168 www.vishay.com6IRFI9634GPbFDocum

 7.2. Size:832K  vishay
irfi9634gpbf sihfi9634g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

IRFI9634G, SiHFI9634GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) - 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating TemperatureQg (Max.) (nC) 38 Fast SwitchingQgs (nC) 8.0 P-ChannelQgd (nC) 18 Fully Avalanche RatedConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableSDESCRIPTION

 7.3. Size:831K  vishay
irfi9634g sihfi9634g.pdf

IRFI9630G
IRFI9630G

IRFI9634G, SiHFI9634GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) - 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating TemperatureQg (Max.) (nC) 38 Fast SwitchingQgs (nC) 8.0 P-ChannelQgd (nC) 18 Fully Avalanche RatedConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableSDESCRIPTION

Другие MOSFET... IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G , 5N50 , IRFI9634G , IRFI9640G , IRFI9Z24N , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G .

 

 
Back to Top