AP9T15GJ-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9T15GJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP9T15GJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T15GJ-HF даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap9t15gh-hf ap9t15gj-hf.pdf pdf_icon

AP9T15GJ-HF

AP9T15GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast swi

 6.1. Size:98K  ape
 ap9t15gh ap9t15gj.pdf pdf_icon

AP9T15GJ-HF

AP9T15GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 9.1. Size:98K  ape
 ap9t18gh-hf.pdf pdf_icon

AP9T15GJ-HF

AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 9.2. Size:126K  ape
 ap9t18geh ap9t18gej.pdf pdf_icon

AP9T15GJ-HF

AP9T18GEH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D G-S Diode embedded BVDSS 20V G Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9997GK-HF, AP9997GP, AP9998GI-HF, AP99LT06GI-HF, AP99LT06GP-HF, AP99LT06GS-HF, AP99T03GR-HF, AP9T15GH-HF, 18N50, AP9U18GH, AP4410AGM-HF, AP4411GM-HF, AP4413GM-HF, AP4415GH-HF, AP4415GJ-HF, AP4424GM-HF, AP4433GH-HF