AP4501GM-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP4501GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5.3) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.05) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4501GM-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4501GM-HF даташит
ap4501gm-hf.pdf
AP4501GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC pro
ap4501gm.pdf
AP4501GM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best com
ap4501gd.pdf
AP4501GD Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V D2 D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 28m D1 PDIP-8 Package ID 7A RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G2 S2 RDS(ON) 50m PDIP-8 G1 S1 ID -5.3A Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with t
ap4501gh-hf.pdf
AP4501GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.2A S1 G1 S2 Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 50m TO-252-4L Description ID -6.4A Advanced Power MOSFETs from APEC provi
Другие IGBT... AP4424GM-HF, AP4433GH-HF, AP4433GI-HF, AP4434GM-HF, AP4435GH, AP4435GJ, AP4453AGYT-HF, AP4501AGM, IRFZ48N, AP4502GM-HF, AP4503GM-HF, AP4511GED, AP4511GH-HF, AP4525GEH-HF, AP4533GEH-HF, AP4565GM, AP80T10AGP-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668





