AP4525GEH-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4525GEH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15(12) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.042) Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

Аналог (замена) для AP4525GEH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4525GEH-HF даташит

 ..1. Size:115K  ape
 ap4525geh-hf.pdf pdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 42m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

 5.1. Size:192K  ape
 ap4525geh.pdf pdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 42m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the b

 5.2. Size:1242K  cn vbsemi
 ap4525geh.pdf pdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEH www.VBsemi.tw N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL d 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 40 - 40 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 0.014 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.016 0.016 APPLICATIONS ID (A) 50 - 50 CCFL Inverter Configuration N- and P-Pair TO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

 6.1. Size:202K  ape
 ap4525gem.pdf pdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2 D2 D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S1 SO-8 RDS(ON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4435GJ, AP4453AGYT-HF, AP4501AGM, AP4501GM-HF, AP4502GM-HF, AP4503GM-HF, AP4511GED, AP4511GH-HF, IRFB7545, AP4533GEH-HF, AP4565GM, AP80T10AGP-HF, AP80T12GP-HF, AP9962AGH-HF, AP9962GM, AP9967GM-HF, AP9971AGH-HF