Справочник MOSFET. AP4525GEH-HF

 

AP4525GEH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4525GEH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15(12) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.042) Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для AP4525GEH-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4525GEH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  ape
ap4525geh-hf.pdfpdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the

 5.1. Size:192K  ape
ap4525geh.pdfpdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b

 5.2. Size:1242K  cn vbsemi
ap4525geh.pdfpdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEHwww.VBsemi.twN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

 6.1. Size:202K  ape
ap4525gem.pdfpdf_icon

AP4525GEH-HF

AP4525GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2D2D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON

Другие MOSFET... AP4435GJ , AP4453AGYT-HF , AP4501AGM , AP4501GM-HF , AP4502GM-HF , AP4503GM-HF , AP4511GED , AP4511GH-HF , 8N60 , AP4533GEH-HF , AP4565GM , AP80T10AGP-HF , AP80T12GP-HF , AP9962AGH-HF , AP9962GM , AP9967GM-HF , AP9971AGH-HF .

History: AP75T10GP | PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.