IRFI9Z34N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFI9Z34N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFI9Z34N
IRFI9Z34N Datasheet (PDF)
irfi9z34n.pdf

PD - 9.1530AIRFI9Z34NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.10 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -14ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-r
irfi9z34g.pdf

PD - 94866IRFI9Z34GPbF Lead-Free12/04/03Document Number: 91172 www.vishay.com1IRFI9Z34GPbFDocument Number: 91172 www.vishay.com2IRFI9Z34GPbFDocument Number: 91172 www.vishay.com3IRFI9Z34GPbFDocument Number: 91172 www.vishay.com4IRFI9Z34GPbFDocument Number: 91172 www.vishay.com5IRFI9Z34GPbFDocument Number: 91172 www.vishay.com6IRFI9Z34GPbFTO-2
irfi9z34g-pbf sihfi9z34g.pdf

IRFI9Z34G, SiHFI9Z34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 9.9 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 16 Dynamic dV/
irfi9z34g sihfi9z34g.pdf

IRFI9Z34G, SiHFI9Z34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 9.9 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 16 Dynamic dV/
Другие MOSFET... IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G , IRFI9630G , IRFI9634G , IRFI9640G , IRFI9Z24N , IRFZ44N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G .
History: MDU1512RH | STLT30 | STP55NE06FP | 2SK4067 | VS3622DS | TK17A25D | FDP025N06
History: MDU1512RH | STLT30 | STP55NE06FP | 2SK4067 | VS3622DS | TK17A25D | FDP025N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630