Справочник MOSFET. AP9980GJ-HF

 

AP9980GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9980GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP9980GJ-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9980GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ape
 ap9980gh-hf ap9980gj-hf.pdf pdf_icon

AP9980GJ-HF

AP9980GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-

 6.1. Size:218K  ape
 ap9980gj.pdf pdf_icon

AP9980GJ-HF

AP9980GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80VD Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AGSDescriptionGDSAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the TO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, lo

 7.1. Size:233K  ape
 ap9980gh-hf.pdf pdf_icon

AP9980GJ-HF

AP9980GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9980 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowe

 7.2. Size:209K  ape
 ap9980gm.pdf pdf_icon

AP9980GJ-HF

AP9980GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 52mD1D1 Surface Mount Package ID 4.6AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9971AGH-HF , AP9971AGJ-HF , AP9971AGS-HF , AP9971GH-HF , AP9971GJ-HF , AP9974GS , AP9977AGH-HF , AP9980GH-HF , 20N60 , AP9980GM-HF , AP9915GK , AP9916GH , AP9916GJ , AP9918GH , AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF .

History: SED10070GG

 

 
Back to Top

 


 
.