AP9916GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9916GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP9916GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9916GJ даташит

 ..1. Size:80K  ape
 ap9916gh ap9916gj.pdf pdf_icon

AP9916GJ

AP9916GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 18V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-25

 8.1. Size:89K  ape
 ap9916h-j.pdf pdf_icon

AP9916GJ

AP9916H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 18V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 9.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9916GJ

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9916GJ

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9971GJ-HF, AP9974GS, AP9977AGH-HF, AP9980GH-HF, AP9980GJ-HF, AP9980GM-HF, AP9915GK, AP9916GH, IRFP460, AP9918GH, AP9938GEY-HF, AP9938GEYT-HF, AP9960GH-HF, AP9960GJ-HF, AP70T03AH, AP70T03AJ, AP70T03AS