AP70T03AJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP70T03AJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP70T03AJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70T03AJ даташит

 ..1. Size:71K  ape
 ap70t03ah ap70t03aj.pdf pdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03AH/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low o

 6.1. Size:72K  ape
 ap70t03as ap70t03ap.pdf pdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03AS/P Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-263(S) designer with the best combination of fast switching, ruggedized dev

 7.1. Size:121K  ape
 ap70t03gi.pdf pdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Full Isolation Package ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.2. Size:98K  ape
 ap70t03gh-hf ap70t03gj-hf.pdf pdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9916GH, AP9916GJ, AP9918GH, AP9938GEY-HF, AP9938GEYT-HF, AP9960GH-HF, AP9960GJ-HF, AP70T03AH, IRFP260N, AP70T03AS, AP70T03GH-HF, AP70U02GH, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP, AP75T10GS-HF, AP76T03AGMT-HF, AP7811GM