AP70T03AJ - описание и поиск аналогов

 

AP70T03AJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP70T03AJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP70T03AJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70T03AJ даташит

 ..1. Size:71K  ape
ap70t03ah ap70t03aj.pdfpdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03AH/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low o

 6.1. Size:72K  ape
ap70t03as ap70t03ap.pdfpdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03AS/P Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-263(S) designer with the best combination of fast switching, ruggedized dev

 7.1. Size:121K  ape
ap70t03gi.pdfpdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Full Isolation Package ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.2. Size:98K  ape
ap70t03gh-hf ap70t03gj-hf.pdfpdf_icon

AP70T03AJ

AP70T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

Другие MOSFET... AP9916GH , AP9916GJ , AP9918GH , AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH , IRFP260N , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , AP70U02GH , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , AP7811GM .

History: SVT035R5NMJ | NTMD5838NL | SLP240C03D | FDME1024NZT | AO3401MI-MS | SE30150

 

 

 

 

↑ Back to Top
.