AP70T03AJ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP70T03AJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для AP70T03AJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP70T03AJ даташит
ap70t03ah ap70t03aj.pdf
AP70T03AH/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low o
ap70t03as ap70t03ap.pdf
AP70T03AS/P Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-263(S) designer with the best combination of fast switching, ruggedized dev
ap70t03gi.pdf
AP70T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Full Isolation Package ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
ap70t03gh-hf ap70t03gj-hf.pdf
AP70T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des
Другие MOSFET... AP9916GH , AP9916GJ , AP9918GH , AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH , IRFP260N , AP70T03AS , AP70T03GH-HF , AP70U02GH , AP72T03GJ-HF , AP72T03GP , AP75T10GS-HF , AP76T03AGMT-HF , AP7811GM .
History: SVT035R5NMJ | NTMD5838NL | SLP240C03D | FDME1024NZT | AO3401MI-MS | SE30150
History: SVT035R5NMJ | NTMD5838NL | SLP240C03D | FDME1024NZT | AO3401MI-MS | SE30150
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023









