AP4800AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4800AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4800AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4800AGM даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap4800agm.pdf pdf_icon

AP4800AGM

AP4800AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 18m D D Fast Switching Characteristic ID 9.6A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device de

 0.1. Size:93K  ape
 ap4800agm-hf.pdf pdf_icon

AP4800AGM

AP4800AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 18m D D Fast Switching Characteristic ID 9.6A G RoHS Compliant S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:80K  ape
 ap4800gm.pdf pdf_icon

AP4800AGM

AP4800GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 25V D D Fast Switching D RDS(ON) 18m D Simple Drive Requirement ID 9A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 8.2. Size:94K  ape
 ap4800dgm-hf.pdf pdf_icon

AP4800AGM

AP4800DGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID 9A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP70T03AS, AP70T03GH-HF, AP70U02GH, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP, AP75T10GS-HF, AP76T03AGMT-HF, AP7811GM, 8205A, AP4816GSM, AP4835GM-HF, AP4880GEM, AP4953GM, AP4955GM-HF, AP4957AGM-HF, AP50T03GH, AP50T03GJ