AP9410GM-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9410GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP9410GM-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9410GM-HF даташит
ap9410gm-hf.pdf
AP9410GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching ID 18A G S S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-
ap9410gmt-hf.pdf
AP9410GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5.5m SO-8 Compatible ID 80A G Low On-resistance S RoHS Compliant & Halogen-Free D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina
ap9410gm.pdf
AP9410GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching ID 18A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa
ap9410gh.pdf
AP9410GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9410 series are from Advanced Power innovated design and G D silicon process technology to achieve the lowes
Другие MOSFET... AP60T03AJ , AP60T03AS , AP60T03GJ , AP60T10GP-HF , AP60T10GS-HF , AP60U02GH , AP60U03GH , AP62T02GJ , 4N60 , AP9412AGM , AP9412BGM , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF , AP9474GM-HF .
History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S
History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775





