AP9410GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9410GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9410GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9410GM-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap9410gm-hf.pdf pdf_icon

AP9410GM-HF

AP9410GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching ID 18A G S S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-

 6.1. Size:58K  ape
 ap9410gmt-hf.pdf pdf_icon

AP9410GM-HF

AP9410GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5.5m SO-8 Compatible ID 80A G Low On-resistance S RoHS Compliant & Halogen-Free D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

 6.2. Size:70K  ape
 ap9410gm.pdf pdf_icon

AP9410GM-HF

AP9410GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching ID 18A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.1. Size:229K  ape
 ap9410gh.pdf pdf_icon

AP9410GM-HF

AP9410GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9410 series are from Advanced Power innovated design and G D silicon process technology to achieve the lowes

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP60T03AJ, AP60T03AS, AP60T03GJ, AP60T10GP-HF, AP60T10GS-HF, AP60U02GH, AP60U03GH, AP62T02GJ, 4N60, AP9412AGM, AP9412BGM, AP9435GJ-HF, AP9435GM, AP9435GP-HF, AP9450GMT-HF, AP9468GM-HF, AP9474GM-HF