IRFIBC40G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFIBC40G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFIBC40G Datasheet (PDF)
irfibc40g.pdf

PD - 94857IRFIBC40GPbF Lead-Free11/20/03Document Number: 91182 www.vishay.com1IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com2IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com3IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com4IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com5IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com6IRFIBC40GPbFTO-
irfibc40g sihfibc40g.pdf

IRFIBC40G, SiHFIBC40GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available Low Thermal ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 60 COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 8.3f = 60 Hz)Qgd (nC) 30 Dynamic dV/dt RatingConfiguration Sing
irfibc40g.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBC40GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.2 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие MOSFET... IRFI9640G , IRFI9Z24N , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRF540N , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , IRFIBE30G , IRFIBF20G , IRFIBF30G , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E .
History: LPM9030 | FDC654P | OSG55R074HSZF | IXFX30N110P | 2SK1501 | FDP12N60NZ | PNMET20V06E
History: LPM9030 | FDC654P | OSG55R074HSZF | IXFX30N110P | 2SK1501 | FDP12N60NZ | PNMET20V06E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet