Справочник MOSFET. AP9412BGM

 

AP9412BGM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9412BGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9412BGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
ap9412bgm.pdfpdf_icon

AP9412BGM

AP9412BGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 18AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast switching, ruggedized device desig

 0.1. Size:93K  ape
ap9412bgm-hf.pdfpdf_icon

AP9412BGM

AP9412BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 18AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fas

 8.1. Size:94K  ape
ap9412agm-hf.pdfpdf_icon

AP9412BGM

AP9412AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 8.2. Size:64K  ape
ap9412gh ap9412gj.pdfpdf_icon

AP9412BGM

AP9412GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие MOSFET... AP60T03GJ , AP60T10GP-HF , AP60T10GS-HF , AP60U02GH , AP60U03GH , AP62T02GJ , AP9410GM-HF , AP9412AGM , NCEP15T14 , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF , AP9474GM-HF , AP9477GM , AP9561GM-HF .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.