AP9412BGM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP9412BGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9412BGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9412BGM даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap9412bgm.pdf pdf_icon

AP9412BGM

AP9412BGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 18A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

 0.1. Size:93K  ape
 ap9412bgm-hf.pdf pdf_icon

AP9412BGM

AP9412BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 18A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

 8.1. Size:94K  ape
 ap9412agm-hf.pdf pdf_icon

AP9412BGM

AP9412AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

 8.2. Size:64K  ape
 ap9412gh ap9412gj.pdf pdf_icon

AP9412BGM

AP9412GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP60T03GJ, AP60T10GP-HF, AP60T10GS-HF, AP60U02GH, AP60U03GH, AP62T02GJ, AP9410GM-HF, AP9412AGM, IRF1407, AP9435GJ-HF, AP9435GM, AP9435GP-HF, AP9450GMT-HF, AP9468GM-HF, AP9474GM-HF, AP9477GM, AP9561GM-HF