Справочник MOSFET. AP9474GM-HF

 

AP9474GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9474GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9474GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
ap9474gm-hf.pdfpdf_icon

AP9474GM-HF

AP9474GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60VDDD Single Drive Requirement RDS(ON) 10.5mD Surface Mount Package ID 12.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast sw

 6.1. Size:92K  ape
ap9474gm.pdfpdf_icon

AP9474GM-HF

AP9474GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60VDD Single Drive Requirement D RDS(ON) 10.5mD Surface Mount Package ID 12.8AGSSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design

 6.2. Size:812K  cn vbsemi
ap9474gm.pdfpdf_icon

AP9474GM-HF

AP9474GMwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9474GM-HF

AP9475GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID 6.9AGSS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 4N100L-TF1-T | SIHG47N60S | SHD230704 | HGI110N08AL | SSK3018K | AP3N018EYT | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.