Справочник MOSFET. IRFIBC40GLC

 

IRFIBC40GLC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFIBC40GLC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFIBC40GLC

 

 

IRFIBC40GLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  international rectifier
 irfibc40glc.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

 ..2. Size:993K  international rectifier
 irfibc40glcpbf.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

PD - 94860IRFIBC40GLCPbF Lead-Free12/03/03Document Number: 91181 www.vishay.com1IRFIBC40GLCPbFDocument Number: 91181 www.vishay.com2IRFIBC40GLCPbFDocument Number: 91181 www.vishay.com3IRFIBC40GLCPbFDocument Number: 91181 www.vishay.com4IRFIBC40GLCPbFDocument Number: 91181 www.vishay.com5IRFIBC40GLCPbFDocument Number: 91181 www.vishay.com6IRFIBC

 ..3. Size:1601K  vishay
 irfibc40glc sihfibc40glc.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

IRFIBC40GLC, SiHFIBC40GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 19 Low Thermal ResistanceConfigurati

 ..4. Size:275K  inchange semiconductor
 irfibc40glc.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBC40GLCFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.2 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 5.1. Size:912K  international rectifier
 irfibc40g.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

PD - 94857IRFIBC40GPbF Lead-Free11/20/03Document Number: 91182 www.vishay.com1IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com2IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com3IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com4IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com5IRFIBC40GPbFDocument Number: 91182 www.vishay.com6IRFIBC40GPbFTO-

 5.2. Size:1441K  vishay
 irfibc40g sihfibc40g.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

IRFIBC40G, SiHFIBC40GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available Low Thermal ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 60 COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 8.3f = 60 Hz)Qgd (nC) 30 Dynamic dV/dt RatingConfiguration Sing

 5.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irfibc40g.pdf

IRFIBC40GLC IRFIBC40GLC

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBC40GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.2 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Другие MOSFET... IRFI9Z24N , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRF1404 , IRFIBE20G , IRFIBE30G , IRFIBF20G , IRFIBF30G , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N .

 

 
Back to Top