Справочник MOSFET. AP9564GM-HF

 

AP9564GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9564GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9564GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap9564gm-hf.pdfpdf_icon

AP9564GM-HF

AP9564GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Low On-resistance RDS(ON) 28mD Fast Switching Characteristic ID -7.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 6.1. Size:95K  ape
ap9564gm.pdfpdf_icon

AP9564GM-HF

AP9564GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Low On-resistance RDS(ON) 28mD Fast Switching Characteristic ID -7.3AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 6.2. Size:827K  cn vbsemi
ap9564gm.pdfpdf_icon

AP9564GM-HF

AP9564GMwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9564GM-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FRF150R | AP2306CGN-HF | WMM180N03TS | WMM120N04TS | STF2NK60Z | STU5N60M2 | TPC8049-H

 

 
Back to Top

 


 
.