Справочник MOSFET. IRF233

 

IRF233 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF233
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRF233

 

 

IRF233 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  1
 irf630 irf631 irf632 irf633 irf230 irf231 irf232 irf233 mtp12n18 mtp12n20.pdf

IRF233 IRF233

 ..2. Size:216K  samsung
 irf230 irf231 irf232 irf233.pdf

IRF233 IRF233

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf

IRF233 IRF233

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
 irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf

IRF233 IRF233

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top