Справочник MOSFET. IRF233

 

IRF233 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF233
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF233

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF233 Datasheet (PDF)

 ..2. Size:216K  samsung
irf230 irf231 irf232 irf233.pdfpdf_icon

IRF233

 9.1. Size:147K  international rectifier
2n6758 irf230.pdfpdf_icon

IRF233

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdfpdf_icon

IRF233

Другие MOSFET... AP90T03P-HF , AP90T10GP-HF , AP92LT10GP-HF , AP92T03GH , AP92T03GS , AP93T03AGH-HF , IRF231 , IRF232 , IRFP064N , IRF240SMD , IRF241 , IRF242 , IRF243 , IRF250B , IRF250C , IRF250SMD , IRF251 .

 

 
Back to Top

 


 
.