IRF233 - описание и поиск аналогов

 

IRF233. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF233

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF233

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF233 даташит

 ..2. Size:216K  samsung
irf230 irf231 irf232 irf233.pdfpdf_icon

IRF233

 9.1. Size:147K  international rectifier
2n6758 irf230.pdfpdf_icon

IRF233

PD - 90334F IRF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6758 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF230 200V 0.40 9.0A TO-3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique

 9.2. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdfpdf_icon

IRF233

Другие MOSFET... AP90T03P-HF , AP90T10GP-HF , AP92LT10GP-HF , AP92T03GH , AP92T03GS , AP93T03AGH-HF , IRF231 , IRF232 , AO4468 , IRF240SMD , IRF241 , IRF242 , IRF243 , IRF250B , IRF250C , IRF250SMD , IRF251 .

History: WMK80R260S | STF8220 | SD215DE | S10H16RP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.