IRF243 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF243

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF243

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF243 даташит

 ..1. Size:215K  samsung
 irf240 irf241 irf242 irf243.pdf pdf_icon

IRF243

 9.1. Size:146K  international rectifier
 irf240.pdf pdf_icon

IRF243

PD - 90370 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRF240 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF240 200V 0.18 18A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a

 9.2. Size:22K  semelab
 irf240smd.pdf pdf_icon

IRF243

IRF240SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие IGBT... AP92T03GS, AP93T03AGH-HF, IRF231, IRF232, IRF233, IRF240SMD, IRF241, IRF242, IRF740, IRF250B, IRF250C, IRF250SMD, IRF251, IRF252, IRF253, IRF320, IRF3205A