IRF433 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF433 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF433
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF433

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF433 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  samsung
 irf430 irf431 irf432 irf433.pdf pdf_icon

IRF433

 9.1. Size:146K  international rectifier
 2n6762 irf430.pdf pdf_icon

IRF433

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 9.2. Size:141K  fairchild semi
 irf430.pdf pdf_icon

IRF433

 9.3. Size:56K  intersil
 irf430-3.pdf pdf_icon

IRF433

IRF430Data Sheet March 1999 File Number 1572.44.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 4.5A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 1.500effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF353 , IRF3546M , IRF420 , IRF421 , IRF422 , IRF423 , IRF431 , IRF432 , 5N65 , IRF441 , IRF442 , IRF443 , IRF4410A , IRF4410H , IRF450B , IRF450C , IRF460B .

 

 
Back to Top

 


 
.