IRF433 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF433  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF433

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF433 даташит

 ..1. Size:211K  samsung
 irf430 irf431 irf432 irf433.pdf pdf_icon

IRF433

 9.1. Size:146K  international rectifier
 2n6762 irf430.pdf pdf_icon

IRF433

PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 4.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 9.2. Size:141K  fairchild semi
 irf430.pdf pdf_icon

IRF433

 9.3. Size:56K  intersil
 irf430-3.pdf pdf_icon

IRF433

IRF430 Data Sheet March 1999 File Number 1572.4 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Features Power MOSFET 4.5A, 500V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 1.500 effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Rated tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF353, IRF3546M, IRF420, IRF421, IRF422, IRF423, IRF431, IRF432, CS150N03A8, IRF441, IRF442, IRF443, IRF4410A, IRF4410H, IRF450B, IRF450C, IRF460B