IRF4410A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF4410A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF4410A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF4410A даташит

 ..1. Size:671K  nell
irf4410a irf4410h.pdfpdf_icon

IRF4410A

RoHS IRF4410 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (97A, 100Volts) DESCRIPTION The Nell IRF4410 is a three-terminal silicon D device with current conduction capability of 97A, D fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 100V ,and max. threshold voltage of 4 volts. G They are designed for use in application

 8.1. Size:132K  njs
irf440 irf441 irf442 irf443.pdfpdf_icon

IRF4410A

 8.2. Size:229K  inchange semiconductor
irf441.pdfpdf_icon

IRF4410A

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor IRF441 FEATURES V Rated at 20V GS Silicon Gate for Fast Switching Speeds I ,V ,SOA and V specified at Elevated DSS DS(on) GS(th) temperature Rugged Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as

 9.1. Size:211K  international rectifier
irf4435.pdfpdf_icon

IRF4410A

PD- 94243 IRF4435 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -30V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon ar

Другие IGBT... IRF422, IRF423, IRF431, IRF432, IRF433, IRF441, IRF442, IRF443, IRFP450, IRF4410H, IRF450B, IRF450C, IRF460B, IRF460C, IRF510PBF, IRF510STRLPBF, IRF510STRRPBF