IRLMS6702PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLMS6702PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SOT457
Аналог (замена) для IRLMS6702PBF-1
IRLMS6702PBF-1 Datasheet (PDF)
irlms6702pbf-1.pdf
IRLMS6702PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 6D DRDS(on) max 0.200(@V = -4.5V)GS25 DDRDS(on) max 0.375(@V = -2.7V)GS34G SQg (typical) 5.8 nCMicro6ID Top View-2.4 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufact
irlms6702pbf.pdf
PD - 95224IRLMS6702PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFETl Lead-Free34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper
irlms6702pbf.pdf
PD - 95224IRLMS6702PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFETl Lead-Free34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper
irlms6702.pdf
PD - 91414CIRLMS6702HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFET34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper silicon area. T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918