IRLMS6802PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLMS6802PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT26
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLMS6802PBF Datasheet (PDF)
irlms6802pbf.pdf

PD- 94897IRLMS6802PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi
irlms6802.pdf

PD- 91848EIRLMS6802HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reel3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprov
irlms6802trpbf.pdf

IRLMS6802TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm
irlms6702.pdf

PD - 91414CIRLMS6702HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFET34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper silicon area. T
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IXFX32N50Q | IPD80R280P7 | IPD50R280CE | 3N204 | FDB3652F085 | NDT6N70 | MDS1524URH
History: IXFX32N50Q | IPD80R280P7 | IPD50R280CE | 3N204 | FDB3652F085 | NDT6N70 | MDS1524URH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754