Справочник MOSFET. IRLMS6802PBF

 

IRLMS6802PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRLMS6802PBF

Маркировка: E*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для IRLMS6802PBF

 

 

IRLMS6802PBF Datasheet (PDF)

1.1. irlms6802pbf.pdf Size:148K _upd

IRLMS6802PBF IRLMS6802PBF

PD- 94897 IRLMS6802PbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 6 l P-Channel MOSFET D D VDSS = -20V l Surface Mount 2 5 D D l Available in Tape & Reel l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.050Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thi

1.2. irlms6802.pdf Size:91K _upd

IRLMS6802PBF IRLMS6802PBF

PD- 91848E IRLMS6802 HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 6 l P-Channel MOSFET D D VDSS = -20V l Surface Mount 2 5 D D l Available in Tape & Reel 3 4 G S RDS(on) = 0.050Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit prov

 1.3. irlms6802.pdf Size:85K _international_rectifier

IRLMS6802PBF IRLMS6802PBF

PD- 91848D IRLMS6802 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 6 P-Channel MOSFET D D VDSS = -20V Surface Mount 2 5 D D Available in Tape & Reel 3 4 G S RDS(on) = 0.050? Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the d

Другие MOSFET... IRF510STRRPBF , IRLMS1503PBF-1 , IRLMS1503PBF , IRLMS1902PBF , IRLMS2002PBF , IRLMS5703PBF , IRLMS6702PBF-1 , IRLMS6702PBF , IRFBC40 , IRF1503L , IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF .

Back to Top