Справочник MOSFET. IRLL014NPBF

 

IRLL014NPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLL014NPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRLL014NPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL014NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  international rectifier
irll014npbf.pdfpdf_icon

IRLL014NPBF

PD- 95154IRLL014NPbF l Surface Mountl Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free D SDescription

 6.1. Size:158K  international rectifier
irll014n.pdfpdf_icon

IRLL014NPBF

PD- 91499BIRLL014NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.14 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.0ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area.

 6.2. Size:548K  international rectifier
auirll014n.pdfpdf_icon

IRLL014NPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL014N HEXFET Power MOSFET Features VDSS Advanced Planar Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) max. Logic Level Gate Drive 0.14 Dynamic dv/dt Rating ID 150C Operating Temperature 2.0A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant

 6.3. Size:2289K  cn vbsemi
irll014ntr.pdfpdf_icon

IRLL014NPBF

IRLL014NTRwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

Другие MOSFET... IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 , IRF1902PBF , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRF1405 , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF , IRLL2703PBF , IRFL014NPBF , IRFL014PBF , IRFL024NPBF .

History: NTMFS4825NFE | APTM50AM24SCG | HM4430A | IRFH5306 | IRF200B211 | SML1248NC2A | BUZ310

 

 
Back to Top

 


 
.