Справочник MOSFET. IRLL014NPBF

 

IRLL014NPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLL014NPBF
   Маркировка: LL014N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IRLL014NPBF

 

 

IRLL014NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  international rectifier
irll014npbf.pdf

IRLL014NPBF
IRLL014NPBF

PD- 95154IRLL014NPbF l Surface Mountl Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free D SDescription

 ..2. Size:261K  infineon
irll014npbf.pdf

IRLL014NPBF
IRLL014NPBF

PD- 95154IRLL014NPbF l Surface Mountl Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free D SDescription

 6.1. Size:158K  international rectifier
irll014n.pdf

IRLL014NPBF
IRLL014NPBF

PD- 91499BIRLL014NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.14 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.0ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area.

 6.2. Size:548K  international rectifier
auirll014n.pdf

IRLL014NPBF
IRLL014NPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL014N HEXFET Power MOSFET Features VDSS Advanced Planar Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) max. Logic Level Gate Drive 0.14 Dynamic dv/dt Rating ID 150C Operating Temperature 2.0A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant

 6.3. Size:2289K  cn vbsemi
irll014ntr.pdf

IRLL014NPBF
IRLL014NPBF

IRLL014NTRwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top