IRLL014NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLL014NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRLL014NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL014NPBF даташит

 ..1. Size:261K  international rectifier
 irll014npbf.pdf pdf_icon

IRLL014NPBF

PD- 95154 IRLL014NPbF l Surface Mount l Advanced Process Technology D DSS l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating DS(on) l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated l Lead-Free D S Description

 6.1. Size:158K  international rectifier
 irll014n.pdf pdf_icon

IRLL014NPBF

PD- 91499B IRLL014N HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.14 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 2.0A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

 6.2. Size:548K  international rectifier
 auirll014n.pdf pdf_icon

IRLL014NPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL014N HEXFET Power MOSFET Features VDSS Advanced Planar Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) max. Logic Level Gate Drive 0.14 Dynamic dv/dt Rating ID 150 C Operating Temperature 2.0A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant

 6.3. Size:2289K  cn vbsemi
 irll014ntr.pdf pdf_icon

IRLL014NPBF

IRLL014NTR www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF150C, IRF150SMD, IRF1607PBF, IRF1704, IRF1902PBF, IRF200B211, IRLL2705PBF, IRLL3303PBF, IRF830, IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRLL024ZPBF, IRLL110TRPBF, IRLL2703PBF, IRFL014NPBF, IRFL014PBF, IRFL024NPBF