IRLL024ZPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLL024ZPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLL024ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL024ZPBF даташит

 ..1. Size:265K  international rectifier
 irll024zpbf.pdf pdf_icon

IRLL024ZPBF

PD - 95990A IRLL024ZPbF HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 150 C Operating Temperature RDS(on) = 60m l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 5.0A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance

 6.1. Size:273K  international rectifier
 irll024z.pdf pdf_icon

IRLL024ZPBF

PD - 95886A IRLL024Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 150 C Operating Temperature RDS(on) = 60m l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 5.0A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processi

 6.2. Size:228K  international rectifier
 auirll024z.pdf pdf_icon

IRLL024ZPBF

PD - 97762 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL024Z HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 150 C Operating Temperature RDS(on) typ. 48m Fast Switching G max. 60m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 5.0A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description D Specifically de

 6.3. Size:674K  infineon
 auirll024z.pdf pdf_icon

IRLL024ZPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL024Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. Logic Level Gate Drive 48m 150 C Operating Temperature max. 60m Fast Switching ID 5.0A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1704, IRF1902PBF, IRF200B211, IRLL2705PBF, IRLL3303PBF, IRLL014NPBF, IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRFB7545, IRLL110TRPBF, IRLL2703PBF, IRFL014NPBF, IRFL014PBF, IRFL024NPBF, IRFL024ZPBF, IRFL1006PBF, IRFL110PBF