Справочник MOSFET. IRLL110TRPBF

 

IRLL110TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLL110TRPBF
   Маркировка: LB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IRLL110TRPBF

 

 

IRLL110TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  vishay
 irll110trpbf sihll110.pdf

IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF

IRLL110, SiHLL110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 100 Available in tape and reel Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 6.1 Logic-level gate driveQgs (nC) 2.6 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V AvailableQgd (nC) 3.3 Fast switchingC

 ..2. Size:782K  cn vbsemi
 irll110trpbf.pdf

IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF

IRLL110TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

 7.1. Size:217K  international rectifier
 irll110.pdf

IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF

PD - 90869AIRLL110HEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5VG Fast SwitchingID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastswit

 7.2. Size:207K  international rectifier
 irll110pbf.pdf

IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF

PD - 95222IRLL110PbFHEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5VG Fast Switching Lead-FreeID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination o

 7.3. Size:1437K  vishay
 irll110 sihll110.pdf

IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF

IRLL110, SiHLL110Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 100 Available in Tape and ReelAvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Dynamic dV/dt RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 6.1 Repetitive Avalanche RatedCOMPLIANTQgs (nC) 2.6 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 3.3 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Sin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top