IRLL2703PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLL2703PBF  📄📄 

Маркировка: LL2703

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLL2703PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL2703PBF даташит

 ..1. Size:138K  international rectifier
 irll2703pbf.pdf pdf_icon

IRLL2703PBF

PD - 95337 IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching RDS(on) = 0.045 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 3.9A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

 6.1. Size:113K  international rectifier
 irll2703.pdf pdf_icon

IRLL2703PBF

PD - 91894 IRLL2703 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Advanced Process Technology VDSS = 30V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.045 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 3.9A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

 7.1. Size:246K  international rectifier
 auirll2705.pdf pdf_icon

IRLL2703PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL2705 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology D l Low On-Resistance V(BR)DSS 55V l Logic Level Gate Drive RDS(on) max. l Dynamic dv/dt Rating 0.04 G l 150 C Operating Temperature S ID 3.8A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant D l Automotive Qualified* S

 7.2. Size:160K  international rectifier
 irll2705.pdf pdf_icon

IRLL2703PBF

PD- 91380B IRLL2705 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.04 Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 3.8A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF200B211, IRLL2705PBF, IRLL3303PBF, IRLL014NPBF, IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRLL024ZPBF, IRLL110TRPBF, K2611, IRFL014NPBF, IRFL014PBF, IRFL024NPBF, IRFL024ZPBF, IRFL1006PBF, IRFL110PBF, IRFL210PBF, IRFL214PBF