Справочник MOSFET. IRFL024NPBF

 

IRFL024NPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFL024NPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL024NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  international rectifier
irfl024npbf.pdfpdf_icon

IRFL024NPBF

PD - 95339IRFL024NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.075l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resist

 6.1. Size:110K  international rectifier
irfl024n.pdfpdf_icon

IRFL024NPBF

PD - 91861AIRFL024NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.075 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 6.2. Size:208K  international rectifier
auirfl024n.pdfpdf_icon

IRFL024NPBF

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFL024NHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.75m Dynamic dV/dT Rating G 150C Operating TemperatureIDS 2.8A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxD Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified*SDDescri

 7.1. Size:264K  international rectifier
irfl024zpbf.pdfpdf_icon

IRFL024NPBF

PD - 95312AIRFL024ZPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeID = 5.1ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low on-resistan

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AUIRF1404ZSTRL | 18P10E | SM2302 | AP96T07AGP-HF | SIHFIBC40G | VS8205BH | IPA60R460CE

 

 
Back to Top

 


 
.