Справочник MOSFET. IRFL024ZPBF

 

IRFL024ZPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFL024ZPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0575 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRFL024ZPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL024ZPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  international rectifier
irfl024zpbf.pdfpdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95312AIRFL024ZPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeID = 5.1ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low on-resistan

 6.1. Size:269K  international rectifier
irfl024z.pdfpdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95817IRFL024ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 5.1ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, thisHEXFET Power MOSFET utilizes the latest process

 7.1. Size:110K  international rectifier
irfl024n.pdfpdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 91861AIRFL024NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.075 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 7.2. Size:140K  international rectifier
irfl024npbf.pdfpdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95339IRFL024NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.075l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resist

Другие MOSFET... IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF , IRLL2703PBF , IRFL014NPBF , IRFL014PBF , IRFL024NPBF , HY1906P , IRFL1006PBF , IRFL110PBF , IRFL210PBF , IRFL214PBF , IRFL4105PBF , IRFL4310PBF , IRFL4315PBF , IRFL9014PBF .

History: IRCZ24 | NTMFS6H801N | STD11NM50N | TPC8047-H | IPI100N10S3-05 | CS6N70CRHD | HCD70R910

 

 
Back to Top

 


 
.