IRFL024ZPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFL024ZPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0575 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для IRFL024ZPBF
IRFL024ZPBF Datasheet (PDF)
irfl024zpbf.pdf

PD - 95312AIRFL024ZPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeID = 5.1ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low on-resistan
irfl024z.pdf

PD - 95817IRFL024ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 5.1ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, thisHEXFET Power MOSFET utilizes the latest process
irfl024n.pdf

PD - 91861AIRFL024NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.075 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area
irfl024npbf.pdf

PD - 95339IRFL024NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.075l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resist
Другие MOSFET... IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF , IRLL2703PBF , IRFL014NPBF , IRFL014PBF , IRFL024NPBF , HY1906P , IRFL1006PBF , IRFL110PBF , IRFL210PBF , IRFL214PBF , IRFL4105PBF , IRFL4310PBF , IRFL4315PBF , IRFL9014PBF .
History: IRCZ24 | NTMFS6H801N | STD11NM50N | TPC8047-H | IPI100N10S3-05 | CS6N70CRHD | HCD70R910
History: IRCZ24 | NTMFS6H801N | STD11NM50N | TPC8047-H | IPI100N10S3-05 | CS6N70CRHD | HCD70R910



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60