IRFL024ZPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFL024ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0575 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRFL024ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL024ZPBF даташит

 ..1. Size:264K  international rectifier
 irfl024zpbf.pdf pdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95312A IRFL024ZPbF HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 150 C Operating Temperature RDS(on) = 57.5m l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 5.1A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on- resistan

 6.1. Size:269K  international rectifier
 irfl024z.pdf pdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95817 IRFL024Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 150 C Operating Temperature RDS(on) = 57.5m l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 5.1A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest process

 7.1. Size:110K  international rectifier
 irfl024n.pdf pdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 91861A IRFL024N HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.075 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 2.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area

 7.2. Size:140K  international rectifier
 irfl024npbf.pdf pdf_icon

IRFL024ZPBF

PD - 95339 IRFL024NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching RDS(on) = 0.075 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 2.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRLL024ZPBF, IRLL110TRPBF, IRLL2703PBF, IRFL014NPBF, IRFL014PBF, IRFL024NPBF, AOD4184A, IRFL1006PBF, IRFL110PBF, IRFL210PBF, IRFL214PBF, IRFL4105PBF, IRFL4310PBF, IRFL4315PBF, IRFL9014PBF