IRFL110PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFL110PBF
Маркировка: FL110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для IRFL110PBF
IRFL110PBF Datasheet (PDF)
irfl110pbf.pdf
PD - 95317IRFL110PbFHEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 0.54 Ease of ParallelingG Simple Drive Requirements Lead-FreeID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fast
irfl110.pdf
PD - 90861AIRFL110HEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 0.54 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastswitching, rug
irfl110 sihfl110.pdf
IRFL110, SiHFL110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 100 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.3 Fast SwitchingQgd (nC) 3.8 Ease of Paralleling Simple Drive R
irfl110tr.pdf
IRFL110TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET AB
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918